MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究

提出一种适用于微机电系统(MEMS)圆片级真空封装的键合结构,通过比较分析各种键合工艺的优缺点后,选择符合本试验要求的金硅键合工艺。根据所提出键合结构和金硅键合的特点设计键合工艺流程,在多次试验后优化工艺条件。在此工艺条件下,选用三组不同结构参数完成键合试验。之后对比不同的结构参数分别测试其键合质量(包括键合腔体泄漏率和键合强度的检测)。完成测试后对不同结构参数导致键合质量的差异做出定性分析,同时得到适用于MEMS圆片级真空封装的金硅键合结构和键合工艺。最后对试验做出总结和评价,并对试验中的不足之处提出后续改进建议。