激光加热效应在硅显微Raman光谱测量中的影响

本文从理论和实验两方面研究了显微Raman光谱测量中,激光功率对单晶硅样品测量的影响。由于显微Raman光谱仪对激光的聚焦作用,使得激光对不同厚度的样品具有微区加热作用,被测样品产生不同程度的温升,从而对显微Raman光谱仪在硅材料应力和温度的测量中产生影响。实验结果证明,对无限厚硅样品,20mW的激光使Raman频移达到0.15cm-1;而对2μm厚的热薄硅样品,26mW的激光使Raman频移达到4.47cm-1。