Ionic field effect in epitaxial AgBr layers

Reversible variations in the conductance of thin AgBr layers due to a capacitively applied electric field normal to the surface are measured. A suitable etching of the layers is made leading to changes in surface properties and to the appearance of the field-effect signal. The effect of etching is discussed in terms of a healing of the surface disorder. The classical semiconductor physics theory of Garrett and Brattain is adapted to describe the surface conductance vs. surface potential dependence in silver halides. Observation of a minimum in the conductance curve makes possible the calculation of the surface potential and the charge in surface states. The results obtained support the model of Poeppel and Blakely indicating a finite number of surface sites. Es werden reversible Leitfähigkeitsänderungen beim kapazitiv angelegten elektrischen Feld senkrecht zur Oberfläche dünner Silberbromidschichten gemessen. Es wird festgestellt, daß eine geeignete Ätzung, die eine Veränderung der Oberflächeneigenschaften verursacht, für die Erscheinung des Feldeffektsignals (FE) notwendig ist. Es wird angenommen, daß die Ätzung zu einer Verminderung der Oberflächenfehlordnung führt. Die in der Halbleiterphysik klassische Theorie von Garrett und Brattain wird angepaßt, um die Abhängigkeit der Oberflächenleitfähigkeit vom Oberflächenpotential bei den Silberhalogeniden zu beschreiben. Das Auftreten eines Minimums in der Leitfähigkeitskurve ermöglicht die Berechnung des Oberflächenpotentials und der Ladung an den Oberflächen. Die erhaltenen Ergebnisse unterstützen das Modell von Poeppel und Blakely, bei dem eine begrenzte Zahl der Oberflächenstellen angenommen wird.