Silver photodissolution and optical properties of GeSe3 vitreous glass thin films

The photodoping of Ag in thin layers of amorphous GeSe3 semiconductors is studied according to the intensity and wavelength of the radiation used. This study is based on the electrical resistance variation of the Ag layer deposited above (or underneath) GeSe3 for a given radiation. Optical measurements for wavelengths from 350 nm to 2.5 μm allow to determine the absorption coefficient α for transparency zones, the index of refraction, and the extinction coefficient of GeSe3. Photodotierung von Ag in dunne amorphe GeSe3-Halbleiterschichten wird bezuglich der Intensitat und Wellenlange der benutzten Strahlung untersucht. Diese Untersuchung beruht auf der Anderung des elektrischen Widerstands der Ag-Schicht, die auf (oder unter) GeSe3 aufgebracht wird, mit der gegebenen Strahlung. Die optischen Messungen fur Wellenlangen von 350 nm bis 2,5 μm erlauben, den Absorptionskoeffizienten α fur transparente Bereiche, den Brechungsindex und den Extinktionskoeffizienten von GeSe3 zu bestimmen.