SiO2/Si基Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的制备及C-V特性研究

Journal of Qingdao University of Science and Technology(Natural Science Edition)（2011）

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摘要

利用sol-gel方法在SiO2/Si基板上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 (CSBT)铁电薄膜,其中Si(100)为P型.利用XRD、SEM测试手段研究了CSBT铁电薄膜的结构与形貌,测试了Au/CSBT/SiO2/Si/Au结构的介电特性和C-V曲线.

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关键词

C-V characteristics,sequential layer annealing method,CSBT ferroelectric thin film,dominated oritation

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