RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制

HaiTao Qi,Li Yali,Xiongwen Zhang,Feng Zhen,Shang Yaohui,WeiLian Guo

Chinese Journal of Semiconductors（2007）

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摘要

依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.

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关键词

High electron mobility transistor,PVCR,Resonant tunneling diode,Resonant tunneling transistor

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