硒化Cu,In双层膜制备CuInSe2薄膜
Acta Energiae Solaris Sinica（2011）
摘要
采用超声波电沉积方法在钼衬底上制备了Cu,In双层膜,随后硒化得到了CuInSe2薄膜.采用扫描电镜( SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜的表面形貌、化学成分和相组成.结果表明:利用超声波电沉积可以得到颗粒细小、均匀致密的Cu层和In层；采用不同的工艺参数可以调节双层膜的Cu/In比率；双层膜在130C下,退火6h后进行硒化,可得到符合化学计量比的CuInSe2薄膜.
更多查看译文
关键词
CuInSe 2 thin film,Selenization,Ultrasonic-electrodepositing
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要