Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制

使用超高真空磁控溅射系统在p-Si上制备了铂铱硅(PtxIr1-xSi)薄膜,并制作了PtxIr1-xSi/p-Si红外探测器,研究了探测器在3~5μm波段的特性,结果表明,PtxIr1-xSi/p-Si势垒高度为0.177 eV,相应红外探测器截止波长为7.0μm。与普通铂硅红外探测器相比,铂铱硅红外探测器在3~5μm中波红外波段响应明显增强。