锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响
Journal of Functional Materials(2008)
摘要
采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。
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关键词
photoluminescence,SnO2∶Sb thin films,RF magnetron sputtering
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