长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

WANG Ni-Li,LIU Shi-Jia,LAN Tian-Yi,ZHAO Shui-Ping,LI Xiang-Yang

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2013）

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摘要

通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的"长波弱P"型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.

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关键词

HgCdTe,MIS,passivation

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