Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性
Nuclear Techniques（2013）
Abstract
针对一款商用浮栅型Flash存储器进行60Co γ总剂量试验和退火试验,分析了器件失效的机理.使用超大规模集成电路测试系统测试了Flash的DC、AC、功能参数,利用Shmoo测试扩展了辐射敏感参数的范围和辐射损伤分析手段,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律.实验结果表明:强场下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的加速积累使电荷泵电路的性能恶化造成器件的功能失效.由于氧化物陷阱电荷在数量上多于界面态陷阱电荷,使得器件功能和辐射敏感参数在退火过程中恢复.
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Key words
Charge pump,Floating-gate flash memory,Maximum operating frequency
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