基本信息
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职业迁徙
个人简介
曾多年在美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries公司,(日本)东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究,在以下几个研究方向取得了突出成果:1)高性能锗,应力硅CMOS器件;2)用于先进CMOS器件的高介电常数(k)栅极介质;3)CMOS器件与工艺的可靠性。已多次在国际电子器件领域的权威会议等权威杂志上发表文章多篇。 2012年入选中组部“青年千人计划”,全职回国后,已在新沟道材料尤其是Ge和III-V族化合物沟道CMOS器件和工艺领域开展了大量的工作。
研究兴趣
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合作者
合作机构
Electronicsno. 1 (2024): 3
Electronicsno. 1 (2024): 24
ELECTRONICSno. 1 (2024)
Journal of Applied Physicsno. 12 (2024)
IEEE Electron Device Letterspp.1-1, (2024)
Journal of Semiconductorsno. 5 (2023): 052101-052101
引用1浏览0引用
1
0
2023 IEEE 25th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC)pp.359-364, (2023)
IEEE Electron Device Lettersno. 11 (2023): 1833-1836
引用0浏览0EIWOS引用
0
0
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)pp.50-1, (2022)
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