基本信息
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Bio
张裕恒,1938年1月29日(农历)出生于江苏宿迁。现任中国科学院强磁场科学中心首席科学家,中科院固体所兼职研究员,中国高等技术中心特别成员(终身),中国科学院物理研究所、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室和南京大学固体微结构物理国家重点实验室学术委员会委员,中国电子学会超导电子学专业委员会副主任。曾任国家自然科学基金会数理学部,材料学部评委、《低温物理学报》常务副主编。
多年来从事超导电性、巨磁电阻效应、低维物理研究,承担国家超导攻关和攀登项目课题,是科大负责人;主持中科院重大项目、国家自然科学基金重点项目、以及多项国家自然科学基金课题。发表SCI论文 260篇(都是他和他的在读研究生、在站博士后为第一作者),其中:Phys.Rev.Lett. 1篇、Appl.Phys.Lett. 15篇、Phys.Rev.B 59篇。检索出论文被国际刊物他引1238次。在高温超导研究中,他的判断实验澄清国际上的争论,解决了高温超导在强电应用中的难题;解决了超导相变后负Hall系数长达九年之久的困惑;否定了国际上流行的关于高温超导体非公度调制的起因,从实验上提出了自己的模型,并为国际同行接受。该工作被国内外同行评价为“是近年来在磁通动力学中的重大成果。”“对高温超导研究学科领域的进展起了推动作用”。在自旋电子学研究中,他们澄清了Mn氧化物导电机制:设计实验发现Mn基氧化物中是晶格极化子,而在硫属尖晶石中是磁极化子;提出和证实不同元素之间也存在双交换作用。在多孔硅和低维材料研究中,他们发明了多孔硅的原位铁钝化水热制备新方法,获得发光强度强、不衰减、不蓝移的多孔硅,国际上认为该工作“可能意味着科学和技术上的一个重要成果。”并申请国家发明专利3项。
多年来从事超导电性、巨磁电阻效应、低维物理研究,承担国家超导攻关和攀登项目课题,是科大负责人;主持中科院重大项目、国家自然科学基金重点项目、以及多项国家自然科学基金课题。发表SCI论文 260篇(都是他和他的在读研究生、在站博士后为第一作者),其中:Phys.Rev.Lett. 1篇、Appl.Phys.Lett. 15篇、Phys.Rev.B 59篇。检索出论文被国际刊物他引1238次。在高温超导研究中,他的判断实验澄清国际上的争论,解决了高温超导在强电应用中的难题;解决了超导相变后负Hall系数长达九年之久的困惑;否定了国际上流行的关于高温超导体非公度调制的起因,从实验上提出了自己的模型,并为国际同行接受。该工作被国内外同行评价为“是近年来在磁通动力学中的重大成果。”“对高温超导研究学科领域的进展起了推动作用”。在自旋电子学研究中,他们澄清了Mn氧化物导电机制:设计实验发现Mn基氧化物中是晶格极化子,而在硫属尖晶石中是磁极化子;提出和证实不同元素之间也存在双交换作用。在多孔硅和低维材料研究中,他们发明了多孔硅的原位铁钝化水热制备新方法,获得发光强度强、不衰减、不蓝移的多孔硅,国际上认为该工作“可能意味着科学和技术上的一个重要成果。”并申请国家发明专利3项。
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Heng-Yu Zhang,Xin-Hua Ma,Tian-Lu Chen, Shu-Wang Cui, Danzengluobu, Wei Gao, Wen-Chao Gao, Xin-Rui Gao, Zi-Ao Gong,Hai-Bing Hu,Denis Kuleshov, Kirill Kurinov,Bing-Bing Li, Fan-Ping Li, Jia-Heng Li,Yang Li, Hu Liu,Mao-Yuan Liu,Ye Liu, Xi-An Pan, Da-Yu Peng,Yao-Hui Qi, Dong Qu,Oleg Shchegolev, Yuri Stenkin, Tian-Shuang Yang, Li-Qiao Yin, Hui-Qian Zhang, Liang-Wei Zhang, Shi-Yuan Zhang
arxiv(2025)
Benkun Wang, Guochao Shan,Yuheng Zhang,Yaoxuan Shi,Jing Xu,Zhijiang Wang,Yong Shuai,Wei Liu,Jingyuan Liu
JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE (2025): 242-250
Optical and Quantum Electronicsno. 5 (2025): 1-10
CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL (2025)
Optics lettersno. 8 (2025): 2498-2501
Yuheng Zhang,Jing Yang, Feng Liang,Zongshun Liu,Yufei Hou,Bing Liu,Fu Zheng, Xuefeng Liu,Degang Zhao
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGYno. 7 (2024)
PHYSICAL REVIEW APPLIEDno. 3 (2024)
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