Yoocheol ShinR&D Ctr Technol Dev, Samsung Elect Co关注立即认领分享关注立即认领分享基本信息浏览量:0职业迁徙个人简介暂无内容研究兴趣论文共 2 篇作者统计合作学者相似作者按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选时间引用量主题期刊级别合作者合作机构Hole Trap Effect On Time-Dependent-Dielectric Breakdown (Tddb) Of High-Voltage Peripheral Nmosfets In Flash Memory ApplicationGuangfan Jiao,Sungkweon Baek,Kab-jin Nam,Sung-Il Chang, Siyeon Cho,Thomas Kauerauf,Chanho Lee, Seung-Uk Han,Jin-soak Kim,Eun-ae Chung,Yoocheol Shin,Jun-Hee Lim,2017 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)(2017)引用0浏览0EIWOS引用00The leakage current improvement in an ultrashallow junction NMOS with Co silicided source and drainWoo-Tag Kang,Jeong-Seok Kim,Kang-Yoon Lee,Yoo-Cheol Shin,Tae-Heon Kim,Yong-Jik Park,Jong-Woo ParkIEEE Electron Device Letters(2000)引用12浏览0EIWOS引用120作者统计合作学者合作机构D-Core合作者学生导师暂无相似学者,你可以通过学者研究领域进行搜索筛选数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn