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研究兴趣:主要面向后摩尔时代需求,研发忆阻器(Memristor)、阻变存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)等新兴半导体器件,研究其物理机制、性能调控及规模集成,开发其非易失性高性能存储(Nonvolatile Memory)、类脑神经形态计算(Brain-Inspired Neuromorphic Computing)、存算一体化/存内计算(In-memory computing)、机器学习加速引擎(ML Accelerator and AI Engine)等新兴功能及应用,发展存储与计算融合的非冯·诺依曼计算原理和硬件。
研究兴趣
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APPLIED PHYSICS LETTERSno. 3 (2024)
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-8
Sheng-Guang Ren, A-Wei Dong,Ling Yang, Yi-Bai Xue,Jian-Cong Li,Yin-Jie Yu,Hou-Ji Zhou,Wen-Bin Zuo,Yi Li,Wei-Ming Cheng,Xiang-Shui Miao
ADVANCED MATERIALSno. 4 (2024): e2307218-e2307218
INFOMAT (2024)
ACS Applied Materials & Interfacesno. 19 (2023): 23371-23379
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Adv. Intell. Syst.no. 2 (2023): n/a-n/a
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