长期从事砷化镓、磷化铟、锑化物基微电子及光电子材料及器件的研究工作。取得的成果有：（1）2008年在国内率先研制了基于0.25μm工艺的高性能InP基共振隧穿二极管（RTD）和高电子迁移率（HEMT）晶体管单片集成电路；（2）2013年在国内首次采用分子束外延技术制备出具有一流电学特性的锑化物基高电子迁移率晶体管，室温下电子迁移率超过30,000cm2/V.s；（3）2015年起开展了新型生物传感器研究。研制的肿瘤标志物AFP生物传感器检测极限达到20 pg/ml量级，针对环境中重金属离子的检测方面，对Pb2+离子检测极限达到0.1pMol/L量级；（4）2017年在国内首次研制出用于3D传感、激光雷达的4英寸940nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片及芯片。先后发表论文50余篇，申请国家发明专利30余项。作为负责人和科研骨干先后承担和参与多项国家“863”计划、“973”计划、中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等项目。