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研究方向
1. 胶态纳米半导体材料的制备、微结构表征、光电性能分析与原理性器件构造。包括i) Si、ii) ZnO或SnO2半导体氧化物、iii) CuS/Se、iv)铅卤钙钛矿胶态量子点的制备、掺杂调控、表征及其在发光二极管、薄膜光伏/光探测器件上的应用;超重掺杂Si量子点、自掺杂Cu2-xS/Se量子点的SPPs效应。
2. III-V族GaN基荧光材料、蓝光/紫外光发光二极管原理性器件的微结构表征、光电性能分析。包括i) 可见光InGaN/GaN多层量子阱LED的构造与效率分析、2) 深紫外AlGaN/GaN多层量子阱LED的构造与效率分析。
3. 稀土掺杂玻璃荧光材料的制备、微结构表征、光电性能分析与原理性器件构造。包括稀土离子与半导体氧化物共掺杂SiO2/TiO2光致荧光材料及电致荧光器件制备与性能分析。
1. 胶态纳米半导体材料的制备、微结构表征、光电性能分析与原理性器件构造。包括i) Si、ii) ZnO或SnO2半导体氧化物、iii) CuS/Se、iv)铅卤钙钛矿胶态量子点的制备、掺杂调控、表征及其在发光二极管、薄膜光伏/光探测器件上的应用;超重掺杂Si量子点、自掺杂Cu2-xS/Se量子点的SPPs效应。
2. III-V族GaN基荧光材料、蓝光/紫外光发光二极管原理性器件的微结构表征、光电性能分析。包括i) 可见光InGaN/GaN多层量子阱LED的构造与效率分析、2) 深紫外AlGaN/GaN多层量子阱LED的构造与效率分析。
3. 稀土掺杂玻璃荧光材料的制备、微结构表征、光电性能分析与原理性器件构造。包括稀土离子与半导体氧化物共掺杂SiO2/TiO2光致荧光材料及电致荧光器件制备与性能分析。
研究兴趣
论文共 60 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
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合作者
合作机构
Haixia Wu,Liu Tan, Hui Huang, Xiaofang Lu, Huanpeng Liang,Tao Lin, Bingsuo Zou,Peilong Hong,Yu-Xuan Ren,Yi Liang
Physical Review Appliedno. 5 (2024)
Tao Lin,Yulong Hai, Yongmin Luo,Lingwei Feng,Tao Jia,Jiaying Wu,Ruijie Ma,Top Archie Dela Pena,Yao Li,Zengshan Xing,Mingjie Li, Min Wang,
ADVANCED MATERIALSpp.e2312311-e2312311, (2024)
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY Cno. 3 (2024): 922-929
ADVANCED OPTICAL MATERIALS (2023)
Advanced Energy and Sustainability Researchno. 10 (2022): n/a-n/a
CRYSTALSno. 12 (2022)
Journal of Rare Earthsno. 10 (2022): 1494-1502
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D-Core
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