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First Fire-free, Low-voltage (~1.2 V), and Low Off-current (~3 nA) SiOxTey Selectors
S. Vaziri, I. M. Datye, E. Ambrosi,A. I. Khan, H. Kwon, C. H. Wu, C. F. Hsu, J. Guy,T. Y. Lee, H.-S. P. Wong, X. Y. Bao
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)pp.324-325, (2022)
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First Demonstration of GAA Monolayer-MoS2 Nanosheet nFET with 410μA μ m ID 1V VD at 40nm gate length
Yun-Yan Chung, Bo-Jhih Chou,Chen-Feng Hsu,Wei-Sheng Yun,Ming-Yang Li,Sheng-Kai Su, Yu-Tsung Liao,Meng-Chien Lee, Guo-Wei Huang,San-Lin Liew,Yun-Yang Shen,Wen-Hao Chang,
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.34.5.1-34.5.4, (2022)
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Engineering defects in pristine amorphous chalcogenides for forming-free low voltage selectors
E. Ambrosi, C. H. Wu, H. Y. Lee, C. F. Hsu,C. M. Lee, S. Vaziri, I. M. Datye,Y. Y. Chen, D. H. Hou,P. C. Chang, D. W. Heh,P. J. Liao,
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.18.7.1-18.7.4, (2022)
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