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Investigation of AIGaN/GaN MISHEMTs with Varied AIGaN Barrier Depths via a Low Damage ALE Process
An-Chen Liu,Hsin-Chu Chen,Po-Tsung Tu, Sung-Jin Cho, Andrew Newton,Yung-Yu Lai, Yan-Lin Chen,Po-Chun Yeh,Shu-Tong Chang,Hao-Chung Kuo
2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA)pp.1-2, (2024)
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Study of 1500V AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Grown on Engineered Substrates
An-Chen Liu, Pei-Tien Chen, Chia-Hao Chuang, Yan-Chieh Chen, Yan-Lin Chen,Hsin-Chu Chen,Shu-Tong Chang,I-Yu Huang,Hao-Chung Kuo
Electronicsno. 11 (2024)
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Degradation and Failure Mechanism of p-GaN Gate E-Mode GaN HEMTs
Abhas Mehta, Hisashi Shichijo, Jungwoo Joh,Chang Suh,Moon Kim
ECS Transactionsno. 2 (2023): 9-20
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Characterizing and Reducing the Layout Dependent Effect and Gate Resistance to Enable Multiple-Vt Scaling for a 3nm CMOS Technology
C. A. Lu, H. P. Lee,H. C. Chen, Y. C. Lin, Y. H. Chung,S. H. Wang,J. Y. Yeh,V. S. Chang,M. C. Chiang,W. Chang, H. C. Chung, C. F. Cheng,
VLSI Technology and Circuitspp.1-2, (2023)
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How Fault-Tolerant Quantum Computing Benefits from Cryo-CMOS Technology
H.-L. Chiang, R. A. Hadi, J.-F. Wang, H.-C. Han,J.-J. Wu, H.-H. Hsieh, J.-J. Horng,W.-S. Chou, B.-S. Lien,C.-H. Chang,Y.-C. Chen,Y.-H. Wang,
VLSI Technology and Circuitspp.1-2, (2023)
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Critical Process Features Enabling Aggressive Contacted Gate Pitch Scaling for 3nm CMOS Technology and Beyond
Chih-Hao Chang,V. S. Chang,K. H. Pan, K. T. Lai, J. H. Lu, J. A. Ng,C. Y. Chen,B. F. Wu,C. J. Lin,C. S. Liang, C. P. Tsao, Y. S. Mor,
2022 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, IEDMpp.27.1.1-27.1.4, (2022)
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Impact of Double HZO on Ferroelectric FinFET and 1T Memory Application
Yun-Fang Chung,Shu-Tong Chang
2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)pp.1-2, (2022)
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