基本信息
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职业迁徙
个人简介
1999年考入中国科学院半导体研究所,从事InP基材料MOCVD窄条宽选区生长和半导体光学放大器的研究,并于2002年获得微电子学和固体电子学工学博士学位;2002年至2004年底在北京交通大学和中科院半导体所作博士后,从事InP基N型调制掺杂量子阱材料生长和器件研究;2005年初加入英国布里斯托大学电子与电气工程系光子组,从事半导体环形腔激光器的研究。2008年6月加入我所,陆续从事太阳能电池减反、InP基异质外延和III-V信息光电子器件。
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PHOTONICSno. 3 (2023): 336
Q. Peng,C. C. Zheng,X. Chen,R. X. Wang,S. J. Xu,X. T. Ge, D. Ding, Z. M. Gong,J. Q. Ning,R. Y. Zhang
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