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The First Optimisation of a 16 Kv 4H-Sic N-Type IGCT
Qin Ze Cao,Peter Michael Gammon,Arne Benjamin Renz,Marina Antoniou,Philip Mawby,Neophytos Lophitis
Diffusion and defect data, solid state data Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena (2024): 177-182
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The Impact of Varying the High-Temperature Post-Deposition Anneal Time or Temperature Ramp Rates on ALD-SiO2/4H-SiC Interfaces
X. Tian,A. B. Renz, A. Su, N. S. Agbo, P. Taylor,P. A. Mawby,P. M. Gammon
2024 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe)pp.1-5, (2024)
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