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Carrier Mobility Variation Induced by the Substrate Bias in Ω-gate SOI Nanowire MOSFETs
F. E. Bergamaschi, T. A. Ribeiro,B. C. Paz,M. De Souza,S. Barraud, M. Casse,M. Vinet,O. Faynot,M. A. Pavanello
2019 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)pp.1-3, (2019)
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monolithic integration : Technological challenges and electrical results
M. Vinet,P. Batude,C. Tabone, B. Previtali, C. LeRoyer, A. Pouydebasque, L. Clavelier, A. Valentian,O. Thomas,S. Michaud,L. Sanchez, L. Baud,
semanticscholar（2011）
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Ultrathin Body Silicon On Insulator Transistors For 22 Nm Node And Beyond
T. Poiroux,F. Andrieu,O. Weber, C. Fenouillet-Beranger, C. Buj-Dufournet, P. Perreau, L. Tosti, L. Brevard,O. Faynot
SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR MATERIALS FOR NANOELECTRONICS APPLICATIONSpp.155-168, (2011)
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