基本信息
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个人简介
Seine Interessen umfassen Halbleitermaterialien großer Bandlücke, insbesondere Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von InAlGaN Nanostrukturen und darauf basierende nanophotonische Bauelemente. Wichtige Meilensteine seiner Arbeiten sind u.a. die Demonstration des ersten GaN-basierten Distributed Feedback (DFB) Lasers, der ersten InGaN Dünnschicht-LEDs mittels Excimer-Laser-Lift-off, der ersten InGaN Multiple-Quantum-Well (MQW) Laserdioden auf Kupfer- und Diamant-Substraten, die Realisierung von Q-Switching in Zwei-Sektion InGaN Laser-Dioden, die Demonstration der unidirektionalen Emission aus spiralförmigen Microcavity Scheibenlasern und die Realisierung vertikal emittierender GaN-Scheibenlaser (VECSEL) im blau-violetten Spektralbereich. In jüngerer Zeit konzentriert sich seine Forschung auf die Entwicklung von Halbleiterbasierten UV-Lichtquellen. Wichtige Ergebnisse auf diesen Gebiet sind die erste Demonstration von Injektionlaserdioden im ultravioletten Spektralbereich mit AlGaN und InAlGaN MQW aktive Regionen, die Realisierung von effizienten Leuchtdioden im ultravioletten (UV) Spektralbereich, die Demonstration erster UV Injektionlaserdioden auf AlN Substrat und die Realisierung von UV-LED Modulen für verschiedenste Anwendungen, u.a. in der Wasserdesinfektion, Phototherapie und Sensorik.
Michael Kneissl ist Autor von mehr als 300 Veröffentlichungen, fünf Buchkapitel und hält mehr als 50 Patente. Vor kurzem war er Mitherausgeber eines Buches über "III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology & Applications" welches vom Springer-Verlag veröffentlicht wurde. 1997 erhielt er einen der Xerox Team Excellence Awards in Research and Technology für die Realisierung von blauen Laserdioden zur Anwendungen in hochauflösenden Laserdruckern und ein "Xerox Corporate Research Group Achievement Award" in 1999 für die Demonstration eines GaN-basierten blau-violetten Lasers im CW Betrieb. In den Jahren 2002 und 2003 war er Empfänger des PARC "Golden Acorn Award" für Patente im Bereich der GaN-Laserbauelementtechnologien. Er erhielt außerdem einen DARPA "Outstanding Performer Award" in 2003 für seine Beiträge zum DARPA/MTO „Semiconductor UV Sources" (SUVOS) Programm. Küzlich wurde er für seine Beitraege zur Entwicklung von Halbleiterlaserdioden großer Bandlücke und UV LEDs zum 2016 IEEE Fellow des Institute of Electrical and Electronics Engineers ernannt.
研究兴趣
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Gallium Nitride Materials and Devices XIX (2024)
IEEE PHOTONICS JOURNALno. 1 (2024): 1-6
Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVIII (2024)
Microbes and Infectionno. 4 (2024): 105320-105320
Sebastian Koelle, Friedhard Roemer, Giulia Cardinali, Alexander Schulz, Norman Susilo, Daniel Hauer Vidal, Tim Wernicke,Michael Kneissl, Bernd Witzigmann
IEEE PHOTONICS JOURNALno. 2 (2024): 1-5
Francesco Piva,Matteo Buffolo,Nicola Roccato, Marco Pilati, Simone Longato,Norman Susilo, Daniel Hauer Vidal,Anton Muhin,Luca Sulmoni,Tim Wernicke,Michael Kneissl,Carlo De Santi,
Matteo Meneghini,Nicola Roccato,Francesco Piva, Marco Pilati,Carlo De Santi,Matteo Buffolo,Norman Susilo, David Hauer Vidal,Anton Muhin,Luca Sulmoni,Jan Ruschel,Johannes Glaab,
Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVIII (2024)
Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (2023)
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作者统计
#Papers: 471
#Citation: 12055
H-Index: 52
G-Index: 90
Sociability: 7
Diversity: 0
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