基本信息
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Bio
主要从事宽禁带半导体材料和器件研究,获得多项有影响力的成果:制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜(保持6年世界纪录);首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料;为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品,联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数,包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现;首先发现InN表面强电荷聚集效应;成功研制出InN化学传感器、InN THz发射源、GaN基高温霍尔传感器、InGaN多异质结太阳能电池、同质外延GaN雪崩光电探测器、SiC紫外单光子探测器等新型器件;并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度GaN紫外探测器件的产业化。
已发表学术论文250余篇,其中包括SCI论文200余篇;所发表文章获SCI他人引用6500余篇次(截止到2014年3月);论文被引用的H因子(H-index)为39。其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”;多项工作被《Nature》杂志及国际半导体技术主流媒体跟踪报道;并应邀成为十余家国际著名学术期刊以及国际权威器件研究会议IEDM特邀审稿人。2007年入选教育部新世纪人才支持计划;2008年获得国家杰出青年科学基金资助;2012年入选教育部长江学者特聘教授;2013年入选科技部创新人才推进计划(****)。
已发表学术论文250余篇,其中包括SCI论文200余篇;所发表文章获SCI他人引用6500余篇次(截止到2014年3月);论文被引用的H因子(H-index)为39。其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”;多项工作被《Nature》杂志及国际半导体技术主流媒体跟踪报道;并应邀成为十余家国际著名学术期刊以及国际权威器件研究会议IEDM特邀审稿人。2007年入选教育部新世纪人才支持计划;2008年获得国家杰出青年科学基金资助;2012年入选教育部长江学者特聘教授;2013年入选科技部创新人才推进计划(****)。
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Ye He, Xingchen Li,Zijun Xu,Ming Qi,Congcong Wang, Chenwei Wang,Hai Lu, Xiaojun Nie,Ruirui Fan,Hantao Jing, Weiming Song, Keqi Wang,
arxiv(2024)
Cited0Views0Bibtex
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Yu-Ze Han,Ye-Chao Tian,Wen-Xiang Ji, Wen-Bo Li,Xiao-Fei Xue,Yue-Qun Dong, Chun-Yu Guan,Dong Zhou,Wen-Tao Li,Hai Lu,Ai -Min Li
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL (2024): 135178
Yifu Wang,Zhiyuan Wang,Weizong Xu,Feng Zhou,Dong Zhou,Fangfang Ren, Dunjun Chen Rong Zhang,Youdou Zheng,Hai Lu
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
OPTICAL MATERIALS (2024): 114986
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
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