褚君浩，男，1945年生，博士，研究员、博士生导师，中国科学院院士。1993－2003年任红外物理国家重点实验室主任，现任中国科学院上海技术物理研究所学位委员会副主任，《红外与毫米波学报》主编。主要从事红外物理、窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究。

褚君浩发现窄禁带半导体碲镉汞带间光跃迁本征吸收光谱，发展了碲镉汞能带结构理论和光跃迁理论，提出碲镉汞禁带宽度、吸收系数、折射系数等多个有关碲镉汞基本物理性质的重要表达式。建立窄禁带半导体表面二维电子气子能带结构理论。解决了碲镉汞薄膜材料和焦平面列阵器件研制中涉及的有关重要基础问题。发展了碲镉汞材料器件设计理论。铁电薄膜非致冷红外探测研究取得国际影响。在铁电薄膜微结构控制和物理研究方面取得多项创新成果。发表学报论文330余篇，出版《窄禁带半导体物理学》专著一本。研究结果被美国空军研究实验室等二十多个单位作为碲镉汞材料器件和相关理论和实验研究的依据。碲镉汞带间跃迁本征吸收光谱等14项研究结果作为标准数据和关系式，被写入国际权威科学手册：“Landoldt-Boerstein科学技术中的数据和函数关系”III/41B卷 (1999年，德国Springer出版)。美国学术界在评论褚君浩研究组的工作时写道：“现在他们不仅已经赶上世界，并且在一些领域走在前面”。研究结果还被大段引入美国《固体光学常数手册》等8部著作。美国“材料学会通报”和美国“现代薄膜和表面技术” 杂志分别发表专文介绍这些结果。他是国家自然科学基金创新研究群体学术带头人。他曾经获得国家自然科学奖三次（1987年四等奖、1993年三等奖、2005年二等奖）、部委级自然科学奖或科技进步奖10次。