基本信息
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个人简介
Joon-Seo Moon received the B.E. degree in electronic engineering from Soonsil University, Seoul, Korea, in 1994.
In 1994, he joined Samsung Electronics Company, Ltd., Kiheung, Kyungki-do, Korea, he has been engaged in evaluation and analysis of 16-M and 64-M Synchronous DRAM, 64-M Synchronous Graphic DRAM, and 144-M Rambus DRAM. He is currently in charge of the evaluation and analysis of the 288-M Rambus DRAM.
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International Memory Workshoppp.1-4, (2024)
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.10.4.1-10.4.4, (2021)
Journal of Alloys and Compounds (2017): 604
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Sungsoo Choi, Seunghyun Lim, Moosup Lim, Hyung Jin Bae,Kyo Jin Choo, Jung Hoon Park, Kang Sun Lee,Jungho Moon
semanticscholar(2015)
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Journal of Korean Sleep Research Societyno. 1 (2014): 16-20
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conferencepp.339-340, (2013)
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crossref(2011)
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