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专利成果
( 1 ) 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 201910116788.5
( 2 ) 在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201811274583 .1
( 3 ) 高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201610183107.3
( 4 ) 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201610183087 .X
( 5 ) 一种绿光激光器外延片及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201511001357.2
( 6 ) 低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510996216.2
( 7 ) InGaN/AlInGaN 多量子阱太阳能电池结构, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201410592387.4
( 8 ) 低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410426219.8
( 9 ) 含有低温插入层的铟镓氮/ 氮化镓多量子阱太阳能电池, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201410426193.7
( 10 ) 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310031285 .0
研究兴趣
论文共 422 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
AIP ADVANCESno. 3 (2024): 035005-035005-5
Yuheng Zhang,Jing Yang, Feng Liang,Zongshun Liu, Yufei Hou,Bing Liu, Fu Zheng, Xuefeng Liu,Degang Zhao
Jing Yang, Dandan Chen,Zhiyu Wang,Yuqing Wang, Jiale Li, Jie Wang,Cuifeng Zhang,Xuebin Shen,Lei Hu,Hui Wang
DYES AND PIGMENTS (2024): 111819-111819
FITOTERAPIA (2024): 105868-105868
Journal of Luminescence (2024): 120335
CRYSTENGCOMMno. 2 (2024): 203-208
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL (2024): 134776-134776
DYES AND PIGMENTS (2024): 111899
JOURNAL OF FLUORINE CHEMISTRY (2024): 110254
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合作学者
合作机构
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