基本信息
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职业迁徙
个人简介
张金平
研究方向
研究内容1:Si基功率半导体器件
开展Si基功率半导体器件的新结构、模型和实验研究,并开展相关器件的产业化工程研究工作,研究的器件包括:IGBT、DMOS、整流器、BJT、恒流器等。
研究内容2:宽禁带半导体(碳化硅)功率器件
开展宽禁带SiC基功率半导体器件的新结构、模型和实验研究,研究的器件包括:MESFET、IGBT、MOS等器件。
研究方向
研究内容1:Si基功率半导体器件
开展Si基功率半导体器件的新结构、模型和实验研究,并开展相关器件的产业化工程研究工作,研究的器件包括:IGBT、DMOS、整流器、BJT、恒流器等。
研究内容2:宽禁带半导体(碳化硅)功率器件
开展宽禁带SiC基功率半导体器件的新结构、模型和实验研究,研究的器件包括:MESFET、IGBT、MOS等器件。
研究兴趣
论文共 82 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICSno. 2 (2024): 326-335
2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)pp.1-3, (2024)
Chinese Physics Bno. 3 (2023)
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 9 (2023): 4885-4891
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (2023): 169348-169348
2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT)pp.1-3, (2022)
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合作机构
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