闫建昌，男，博士，研究员，博士生导师。国家自然科学基金优秀青年基金获得者，国家高层次人才计划入选者， CASA第三代半导体卓越创新青年，中国科学院青年创新促进会优秀会员，北京市科技新星计划入选者，山西省“三晋英才”支持计划高端领军人才。长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UV LED）领域十余年，负责国家重点研发计划、863计划、自然科学基金等多项国家级科研任务，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。

主持承担国家863课题，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上 MOCVD 外延出高质量AlN材料，研制出首支基NPSS的深紫外LED；成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射；针对深紫外LED的光提取难题，创新制备出纳米柱阵列深紫外LED器件，将TM模式光提取效率提升35倍；创新在二维材料上外延AlN和紫外LED结构，利用二维hBN的高热导率有效改善了器件散热。发表学术论文百余篇，获授权国家专利二十多项。出版中文专著《氮化物深紫外发光材料及器件》，英文专著《Light-Emitting Diodes: Materials, Processes, Devices and Applications》。实现了深紫外LED研究成果在山西落地转化，将深紫外LED应用于公共环境疫情防控，助力2022冬奥会科技防疫，得到科技部表彰。获2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。