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Effect of Back Gate on Word Line Disturb Immunity of a Vertical Channel DRAM Cell Array Transistor
Moonyoung Jeong, Sangho Lee, Yootak Jun, Kiseok Lee,Seokhan Park,Jeonghoon Oh,Ilgweon Kim,Jemin Park
IEEE International Reliability Physics Symposiumpp.P23.MR-1-P23.MR-4, (2024)
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Self-Aligned in 2Pitch Cell Array Transistor (S2CAT) for 4F2 Based DRAM Generation Extension
Seokhan Park, Gyuhwan Oh, Bowon Yoo, Moonyoung Jeong, Kiseok Lee, Sangho Lee, Seongbin Hong, Sang Hyun Sung, Hyungeun Choi, Taegeun Jo, Wonchul Jang, Jaekyun Park,
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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14nm DRAM Development and Manufacturing
Kanguk Kim, Youngwoo Son, Hoin Ryu,Byunghyun Lee,Jooncheol Kim,Hyunsu Shin, Joonyoung Kang,Jihun Kim,Shinwoo Jeong,Kyosuk Chae, Dongkak Lee, Ilwoo Jung,
VLSI Technology and Circuitspp.1-2, (2023)
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Investigation on NBTI Control Techniques of HKMG Transistors for Low-power DRAM applications
Wonju Sung, Hyun Seung Kim, Jung Hoon Han, Se Guen Park,Jeonghoon Oh,Hyodong Ban,Jooyoung Lee
IRPSpp.1-5, (2023)
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Investigation of Sub-20nm 4th generation DRAM cell transistor's parasitic resistance and scalable methodology for Sub-20nm era
Shinwoo Jeong, Jin-Seong Lee, Jiuk Jang,Jooncheol Kim,Hyunsu Shin, Ji Hun Kim, Jeongwoo Song, Dongsoo Woo,Jeonghoon Oh,Jooyoung Lee
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)pp.1-6, (2023)
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