基本信息
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Bio
从事氮化物材料生长和器件研制工作八年,熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生长设备和相关材料分析表征方法。使用国产NH3-MBE生长设备,获得了具有当时国际水平的高迁移率GaN外延片;作为骨干科研人员,所在小组研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料,并用所研制的材料与信息产业部第十三研究所合作研制出了我国第一只氮化物高温HEMT器件;负责自主设计并制备了一台HVPE厚膜GaN材料生长设备,获得了厚膜GaN材料生长速率超过了每小时200μm,晶体质量位于国内领先水平;在“十一五”期间,负责氮化物MOCVD材料生长研究,主要方向为GaN基LED材料生长研究和紫外LED材料生长研究。
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Bo Shi,Zhetong Liu, Yang Li,Qi Chen,Jiaxin Liu, Kailai Yang,Meng Liang, Xiaoyan Yi,Junxi Wang, Jinmin Li,Junjie Kang, Peng Gao,
NANO LETTERSno. 24 (2024): 7458-7466
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCEno. 6 (2024)
CRYSTAL GROWTH & DESIGNno. 2 (2024): 843-850
APPLIED PHYSICS LETTERSno. 11 (2024)
Minglei Tang, Chicheng Ma,Lining Liu, Xiaolong Tan,Yan Li,Young Jin Lee,Guodong Wang,Dae-Woo Jeon,Ji-Hyeon Park,Yiyun Zhang,Xiaoyan Yi,Junxi Wang,
Nano lettersno. 5 (2024): 1769-1775
APPLIED PHYSICS LETTERSno. 11 (2024)
Advanced Scienceno. 20 (2024): n/a-n/a
OPTICAL ENGINEERINGno. 1 (2024)
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