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Ultra low density and high performance InAs quantum dot single photon emitters
C. Shang, M. De Gregorio, Q. Buchinger, S. Hoefling,J. E. Bowers
2023 IEEE PHOTONICS CONFERENCE, IPC (2023)
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CONFERENCE DIGEST-IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE
Km Lau, Y Wan,Q Li, Ay Liu,Ac Gossard,Je Bowers,Ww Chow,El Hu
user-61447a76e55422cecdaf7d19（2016）
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An Inp/Ingaas Tunnel Junction Fabricated On (311)B Inp Substrate By Mocvd
Yl Okuno,Sp Denbaars,Je Bowers
2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Conference Proceedingspp.114-117, (2004)
引用1浏览0EIWOS引用
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1.55 Mu M Traveling-Wave Amplification Photodetector
J Piprek, D Pasquariello,D Lasaosa,Je Bowers
2003 INTERNATIONAL CONFERENCE INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS (2003)
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Lateral-cavity design for long-wavelength vertical-cavity lasers
J Piprek, A Bregy,YJ Chiu, V Jayaraman,JE Bowers
NANOTECH 2003, VOL 2pp.20-23, (2003)
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Vertical And Lateral Heterogeneous Integration Using Direct Wafer Bonding
J Geske, V Jayaraman, Yl Okuno,Je Bowers
COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001pp.289-293, (2002)
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1.3 mu m vertical-cavity amplifying switch
ES Bjorlin,J Piprek, S Gee,YJ Chiu,JE Bowers, A Dahl, P Abraham
OSA TRENDS IN OPTICS AND PHOTONICS (2001): 154-160
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Vcsel And High-Performance Photonics Enabled By Wafer Bonding
P Abraham,Ka Black, B Liu,J Piprek,Yj Chiu,A Karim, A Shakouri, Sk Mathis,El Hu,Je Bowers
SEMICONDUCTOR WAFER BONDING: SCIENCE, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS V, PROCEEDINGSno. 35 (2001)
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