基本信息
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个人简介
韩根全教授回国后主要从事后摩尔新型微电子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年创新发现不定型类铁电栅介质材料并实现非易失晶体管器件,有望颠覆德国人发现的多晶掺杂HfO2基铁电系列,推动非易失嵌入式存储器在FinFET/Nanosheet FET等先进3D晶体管中的应用。2019年通过智能剥离和转移技术(与中科院微系统所欧欣研究员合作)实现高导热衬底的Ga2O3功率器件,彻底解决Ga2O3导热问题,该成果为Compound Semiconductors网站报道,美国DARPA跟踪研究。
研究兴趣
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2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)pp.1-3, (2024)
Cizhe Fang,Ruoying Kanyang,Yingke Ji,Yong Zhang, Jiayong Yang, Di Wang,Yan Liu,Xuetao Gan,Genquan Han,Yue Hao
LASER & PHOTONICS REVIEWSno. 2 (2024)
Huan Liu, Fei Yu,Bing Chen,Zheng-Dong Luo,Jiajia Chen,Yong Zhang,Ze Feng,Hong Dong, Xiao Yu,Yan Liu,Genquan Han,Yue Hao
Materials Futures (2024)
IEEE Electron Device Lettersno. 1 (2024): 32-35
Minglei Ma,Gaobo Lin,Rongzong Shen,Jiacheng Xu,Haoji Qian,Jiani Gu,Huan Liu, Hongrui Zhang, Xiao Yu,Yan Liu,Jiajia Chen,Chengji Jin,
Science China Information Sciencesno. 1 (2024): 1-2
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY Bno. 3 (2024)
2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) (2024)
Applied opticsno. 16 (2024): 4414-4420
Applied Physics Lettersno. 11 (2024)
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