H. UemuraPower Device Works Mitsubishi Electric Corporation关注立即认领分享关注立即认领分享基本信息浏览量:0职业迁徙个人简介暂无内容研究兴趣论文共 2 篇作者统计合作学者相似作者按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选时间引用量主题期刊级别合作者合作机构Tight relationship among field failure rate, single event burn-out (SEB) and cold bias stability (CBS) as a cosmic ray endurance for IGBT and diodeKenji Suzuki,Yasuhiro Yoshiura, K. Uryu,Tadaharu Minato,Masayoshi Tarutani,Y. Miyazaki,H. Uemura, T. Hagihara, S. Momii, Y. Kusakabe,M. Nakamura, Y. Fujita,2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)(2018)引用12浏览0EIWOS引用120Impact of Gate Control on the Switching Performance of a 750A/3300V Dual SiC-ModuleN. Soltau,E. Wiesner, R. Tsuda, K. Hatori,H. UemuraEuropean Conference on Power Electronics and Applications(2018)引用22浏览0EIWOS引用220作者统计合作学者合作机构D-Core合作者学生导师暂无相似学者,你可以通过学者研究领域进行搜索筛选数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn