基本信息
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个人简介
冯玉春博士,高级工程师,女,湖南人,硕士导师。1982年1月毕业于湖南大学半导体专业,获学士学位,1988年7月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,获硕士学位,1996年10月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,获博士学位。1999年9月调入深圳大学光电子学研究所。
长期从事半导体材料与器件的研制与开发工作。先后主持国家“八·五”科技攻关项目“MCT研究”,研制出10A、1000V、关断时间达1.5微秒的MCT样品,并通过国家“八·五”鉴定验收;参加了国家“八·五”攻关项目“IGBT研究”,研制出了35A/1200VIGBT单管和50A~200A,600V~1200V二单元IGBT摸块,并通过国家“八·五”攻关鉴定验收。研制了非晶硅和非晶氮化硅材料,所研制的非晶场效应晶体管通态与断态电流比达六个量级。
参加了大功率可控硅及其快速晶闸管的研制与生产,如《舟山直流输电用可控硅的研制》、《高可靠性可控硅》和《特大功率晶闸管的研制》等课题,并从事产品ISO9001系统的建立。曾获陕西省机械局科学技术进步奖二等奖2项、陕西省机械局科学技术进步奖一等奖1项、西安市科学技术进步奖三等奖1项、西安市科学技术进步奖二等奖1项、陕西省科学技术进步奖三等奖1项。发表论文二十余篇。
研究兴趣
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LIGHT-EMITTING DIODE MATERIALS AND DEVICES II (2008): W8280-W8280
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