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Effect of High Temperature RF Stress on the Trapping Behavior of Carbon Doped AlN/GaN/AlGaN HEMTs
Lyes Ben Hammou, François Grandpierron, Elodie Carneiro,Katir Ziouche,Etienne Okada,Farid Medjdoub, Gilles Patriarche
2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)pp.1-8, (2025)
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Ultra-broad Band RF Switches Based on Multilayers MoS2
S. Skrzypczak, C. Ligaud, Y. Bousbaa,G. Ducournau,D. Vignaud,E. Okada, J. David-Vifflantzeff,S. Cadot, L. Le Van-Jodin,R. Gassilloud, G. Bigeard,A. Cresti,Y. Deblock,H. Happy,E. Pallecchi
2024 19TH EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE, EUMIC 2024pp.214-217, (2024)
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