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Characteristics of Aluminum-based Oxide with ALD SiO2 Interfacial Layer As the Gate Dielectric of the Silicon Carbide (sic) MOS Capacitor with RTA Annealing
Cheng-Li Lin, Bo-Xian Su, Yu-Lun Lee
2024 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP, SNW 2024pp.133-134, (2024)
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