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1.6Kv, 2.9 Mω Cm2 Normally-off P-Gan HEMT Device
Injun Hwang,Hyoji Choi,JaeWon Lee,Hyuk Soon Choi,Jongseob Kim,Jongbong Ha,Chang-Yong Um, Sun-Kyu Hwang,Jaejoon Oh, Jun-Youn Kim,Jai Kwang Shin,Youngsoo Park,U-in Chung,In-Kyeong Yoo,Kinam Kim
2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (2012)
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