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Magnetoresistive-coupled transistor using the Weyl semimetal NbP
Lorenzo Rocchino, Federico Balduini,Heinz Schmid,Alan Molinari,Mathieu Luisier, Vicky Süß, Claudia Felser,Bernd Gotsmann,Cezar B. Zota
Nature Communicationsno. 1 (2024): 1-8
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Low-Frequency Noise in InGaAs-OI 1T-DRAMs
Carlos Marquez,Carlos Navarro,Siegfried Karg, Ruben Ortega,Cezar Zota, Francisco Gamiz
2023 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF)pp.1-4, (2023)
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The Effect of Cryogenic Temperatures on the Lateral Heat Spreading in InGaAs/InP HEMTs
Giacomo Graziano, Alberto Ferraris,Eunjung Cha,Cezar B. Zota
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 8 (2023): 4087-4092
引用0浏览0EIWOS引用
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In-depth electrical characterization of deca-nanometer InGaAs MOSFET down to cryogenic temperatures for low-power quantum applications
Francesco Serra Di Santa Maria,Christoforos Theodorou,Francis Balestra,Gerard Ghibaudo,Eunjung Cha,Cezar B. Zota
ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)pp.257-260, (2022)
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Cryogenic InGaAs HEMT-Based Switches For Quantum Signal Routing
A. Ferraris,E. Cha, P. Mueller,T. Morf, M. Prathapan,M. Sousa,H.-C. Han,C. Enz,C. B. Zota
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.4.6.1-4.6.4, (2022)
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