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Integration and Characterization of High Thermal Conductivity Materials for Heat Dissipation in Stacked Devices
W.-Y. Woon, J.-H. Jhang, K.-K. Hu,C.-C. Shih, J.-F. Hsu, J.-P. Lin, Y. Wu,Anna Kasperovich,Mohamadali Malakoutian, R. Soman, J. Kim, H.-K. Wei,M. Nomura,S. Chowdhury,Szuya Sandy Liao
Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2024)
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Complementary Field-Effect Transistor (CFET) Demonstration at 48nm Gate Pitch for Future Logic Technology Scaling
S. Liao,L. Yang, T.K. Chiu,W.X. You, T.Y. Wu,K.F. Yang,W.Y. Woon,W.D. Ho, Z.C. Lin,H.Y. Hung,J.C. Huang,S.T. Huang, M.C. Tsai,C.L. Yu, S.H. Chen, K.K. Hu,C.C. Shih, Y.T. Chen, C.Y. Liu, H.Y. Lin, C.T. Chung, L. Su, C.Y. Chou, Y.T. Shen, C.M. Chang, Y.T. Lin,M.Y. Lin, W.C. Lin, B.H. Chen,C.S. Hou, F. Lai, X. Chen, J. Wu,C.K. Lin,Y.K. Cheng,H.T. Lin,Y.C. Ku,S.S. Lin, L.C. Lu,S.M. Jang,M. Cao
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)（2023）
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Thermal Dissipation in Stacked Devices
W. Y. Woon,Sam Vaziri,C. C. Shih, I. Datye,M. Malakoutian, James Hsu,K. F. Yang, J. R. Huang,T. M. Shen,S. Chowdhury,X. Y. Bao, S. S. Liao
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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#Citation: 10

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