基本信息
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职业迁徙
个人简介
张有润
研究方向
1. 高压大电流宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件理论、模型和新结构研究,包括:SiC BJT、SiC VDMOS、SiC功率整流器等。
2. 硅基光电集成电路。包括新型器件结构和工艺集成方法的研究,以及光电探测、检测、信号处理集成电路的研制。
研究条件
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室已经建成一条具有先进水平的微细加工平台工艺生产线,具备半导体器件研制能力,主要设备包括:刻蚀、光刻、氧化、退火、扩散、介质膜生长等以及SEM、TEM、Auger等测试分析设备。
研究方向
1. 高压大电流宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件理论、模型和新结构研究,包括:SiC BJT、SiC VDMOS、SiC功率整流器等。
2. 硅基光电集成电路。包括新型器件结构和工艺集成方法的研究,以及光电探测、检测、信号处理集成电路的研制。
研究条件
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室已经建成一条具有先进水平的微细加工平台工艺生产线,具备半导体器件研制能力,主要设备包括:刻蚀、光刻、氧化、退火、扩散、介质膜生长等以及SEM、TEM、Auger等测试分析设备。
研究兴趣
论文共 67 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.96-99, (2024)
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-7
Microelectronics Journal (2024): 106298
CRYSTALSno. 5 (2023): 778-778
Hang Chen,Yourun Zhang, Peng He, Yuqiao Zhang,Shaohua Chen,Shiyan Li,Maojiu Luo,Zehong Li,Song Bai,Bo Zhang
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 7 (2023): 3813-3819
Journal of Electronic Science and Technologyno. 4 (2023): 100224-100224
2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT)pp.1-3, (2022)
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)pp.198-200, (2022)
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合作机构
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