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个人简介
Since 2015 he is more intensively focused to boron nitride and other two-dimensional semiconductors of the III-VI family, namely InSe, GaSe and GaTe. Gil contributed to the organization of tens of international events and contributed to the launching of several series semiconductor conferences: Int.
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A. Rousseau, J. Plo,P. Valvin,T. S. Cheng, J. Bradford, T. S. S. James, J. Wrigley,C. J. Mellor,P. H. Beton,S. Novikov,V Jacques,B. Gil,
2D MATERIALSno. 2 (2024)
J. Plo,A. Pershin, S. Li, T. Poirier, E. Janzen, H. Schutte, M. Tian, M. Wynn, S. Bernard,A. Rousseau, A. Ibanez,P. Valvin,
arxiv(2024)
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Gallium Nitride Materials and Devices XIX (2024)
Nano lettersno. 23 (2024): 6990-6996
T. Clua-Provost, Z. Mu,A. Durand, C. Schrader, J. Happacher, J. Bocquel,P. Maletinsky, J. Fraunié,X. Marie, C. Robert, G. Seine, E. Janzen,
arxiv(2024)
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Scientific reportsno. 1 (2024): 169-169
Alexandra Ibanez,Mathieu Leroux, Nikita Nikitskiy,Wilfried Desrat,Matthieu Moret,Pierre Valvin,Guillaume Cassabois,Julien Brault,Bernard Gil, Fumiya Chugenji, Kirihara Taiga, Muhamad Ajmal Khan,
physica status solidi (b) (2024)
Hui Shi,Mingyuan Wang,Hongying Chen,Adrien Rousseau,Junpeng Shu,Ming Tian,Ruowang Chen, Juliette Plo,Pierre Valvin,Bernard Gil,Jiajie Qi,Qinghe Wang,
arxiv(2024)
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Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVII (2023)
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