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Structure habituelles du Si, dite « numéro un » est celle du diamant. La haute pression permet d'obtenir nombreuses structures alternatives. Le travail de synthèse de nouvelles formes du Si est mené à l'IMPMC par Oleksandr Kurakevych et ses co-équipiers. La synthèse à « gros volume » par la haute pression et la caractérisation par les méthodes diverses en collaboration avec l'équipe de Timothy Strobel de l'Institut Carnegie de Washington ont permis de mettre en évidence que le Si-III est un semi-conducteur à bande étroite.
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Vladimir Z. Turkevich,Carlos Renero-Lecuna, Yixuan Zhao,Yann Le Godec,Timothy A. Strobel,Wilson A. Crichton,Nicolas Guignot,Hicham Moutaabbid, Ioannis Touloupas,Alexandre Courac
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C (2023)
CRYSTENGCOMMno. 40 (2023): 5740-5747
ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIESno. 11 (2023)
Acta Crystallographica Section A Foundations and Advancesno. a2 (2021): C730-C730
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