基本信息
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职业迁徙
个人简介
現在の研究分野: ダイヤモンドおよび窒化ガリウム半導体の光・電子デバイス開発研究
物質・材料研究機構,2002~現在. 202編, ダイヤモンド半導体デバイス開発
デバイス物理(11), UVセンサー (46), 光電子デバイス (21), ヘテロ接合&MOS (41), MEMS (5) ◆【原著論文数】
京都大学, 1993~2002, 50編,ワイドギャップ半導体のオーム性電極材料開発
ZnSe(10) ●GaN(18) ●SiC (3) ●Diamond(9) ●GaAs(3) InP(4) ●Review(3)
名古屋大学,1988~1993, 28編,Si系半導体のプロセシング科学
ガスソースMBE法によるSiGe膜の成長過程(15)および金属/Siおよび絶縁物/Si界面の物理化学(13)
名古屋大学,1984~1988, 7編 - GaNおよびAlGaN窒化物半導体のMOVPE成長と光電物性(7)
豊橋技術科学大学,1982~ 1984,1編 - InP化合物半導体の気相エッチングとMOVPE成長(1)
物質・材料研究機構,2002~現在. 202編, ダイヤモンド半導体デバイス開発
デバイス物理(11), UVセンサー (46), 光電子デバイス (21), ヘテロ接合&MOS (41), MEMS (5) ◆【原著論文数】
京都大学, 1993~2002, 50編,ワイドギャップ半導体のオーム性電極材料開発
ZnSe(10) ●GaN(18) ●SiC (3) ●Diamond(9) ●GaAs(3) InP(4) ●Review(3)
名古屋大学,1988~1993, 28編,Si系半導体のプロセシング科学
ガスソースMBE法によるSiGe膜の成長過程(15)および金属/Siおよび絶縁物/Si界面の物理化学(13)
名古屋大学,1984~1988, 7編 - GaNおよびAlGaN窒化物半導体のMOVPE成長と光電物性(7)
豊橋技術科学大学,1982~ 1984,1編 - InP化合物半導体の気相エッチングとMOVPE成長(1)
研究兴趣
论文共 427 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
APPLIED PHYSICS EXPRESSno. 2 (2024)
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-5
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALSno. 27 (2023)
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGYno. 5 (2023): 055007-055007
引用0浏览0引用
0
0
Materials Today Advances (2023): 100393-100393
引用2浏览0引用
2
0
Jiangwei Liu, Masayuki Okamura, Hisanori Mashiko,Masataka Imura,Meiyong Liao,Ryosuke Kikuchi,Michio Suzuka,Yasuo Koide
IEEE Transactions on Electron Devicespp.1-5, (2023)
引用0浏览0引用
0
0
2023 IEEE 6th International Conference on Electronic Information and Communication Technology (ICEICT)pp.159-161, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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合作机构
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