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个人简介
IEEE会员,教育部、四川省、贵州省、成都市专家库专家,四川省电力电子协会、成都市电力电子协会副理事长。《IEEE-TPE》、《IEEE-TCAS1》、《IEEE-TED》、《IEEE-TEDL》等期刊审稿人。 一直从事新型功率器件、功率集成工艺及功率集成电路的基础和技术研究,包括:高性能整流器、高端三极管、VDMOS(SJ的工艺平台、ESD-VDMOS、抗辐射VDMOS、具有过流、过温、过压保护功能的VDMOS等)、IGBT(600V-6500V)、高压BCD工艺平台、具有多种保护功能的电源管理芯片、LED驱动方案及LED驱动IC等。先后负责和承担了国家科技重大专项、自然科学基金、重点实验室基金、航空航天等项目。和华润上华、华润华晶、深圳华为、国家电网、华虹NEC、中芯国际、深爱、中环、东光等企业保持了很好的合作关系,获得了一系列的横向项目。研制成功100余款产品,具体研究内容如下: 研究内容1:功率半导体器件 开展了功率DMOS、IGBT、整流器、BJT、JFET、恒流器件等多种功率器件的研究,取得了丰硕的成果。(1)在国内foundry建立了50-100V、200-300V、400-700V平面型VDMOS工艺平台,开发出上百款平面型VDMOS产品;研制了30-80V槽栅型VDMOS;与华虹NEC合作,在国内首次实现耐压700V的超结VDMOS;开展了抗辐射加固VDMOS、ESD保护VDMOS及带多种保护功能的智能VDMOS的研究。(2)开展了600V-6500V的IGBT系列产品研发,600V、1200V平面型及槽栅型NPT和FS-IGBT已大量应用于电磁炉等消费类电子领域,1700V、2500V NPT-IGBT、3300V、4500V FS-IGBT已通过可靠性考核, 6500V FS-IGBT均已成功流片,指标达到设计要求,在IGBT的设计中使用了载流子存储(CS)层技术。(3)提出了埋层结构的超势垒整流器新结构,实现了超低正向导通压降,并申请多项中国发明专利。(4)研制的CS中心对称结构高反压BJT对管,打破了国外垄断和封锁,已经应用于飞行控制系统和舰艇舵机系统,装备系统100多套,使用至今,故障率为零。(5)研制了高功率音频放大对管和具有抗辐射/ESD保护的JFET器件。(6)高压大功率IGBT的串并联技术和IPM模块。 研究内容2:高低压工艺集成技术 进行BCD工艺平台的开发,并提出具有采样及自供电功能的SENSFET器件,很好应用于高低压集成工艺中,基于此,开发了一套600V高压BCD工艺平台。 研究内容3:电源管理集成电路设计 开发了多款线性恒流IC、DC-DC和AC-DC的一系列IC产品,部分产品已经用于自主研发的LED照明系统。 在新型功率器件、抗辐照技术、可集成器件、BCD工艺、模拟电路等方面进行了创新性的研究工作,取得了一系列重要学术研究成果。包括:建立了功率DMOS的参数理论模型。包括亚微米、深亚微米DMOS的阈值电压、迁移率模型和DMOS的ESD瞬态模型等、建立功率DMOS非均匀沟道的辐照理论、提出了可控采样的SENSEFET新结构、高动态安全工作的IGBT器件新结构、RF LDMOS器件新结构、基于驱动时序及内匹配的大功率器件并联技术等等。在 IEEE、物理学报等发表论文100余篇,被SCI/EI收录50余篇;申请国家发明专利100余项,授权30余项,成功转让5项;获得国家科技进步二等奖(排名第二)、省科技进步一等奖各1项(排名第二)、中国电子科技集团一等奖、中国电子协会二等奖、国防三等奖、电子科技大学教学二等奖。为本科生、研究生讲授“半导体器件物理”、“智能功率集成电路和功率器件”、“微电子技术前沿”、“电力电子基础”等课程,培养毕业硕士研究生100多名,博士研究生1名,主要就业于国外公司、合资企业、研究所、大型国有企业、大型民营企业等,部分学生到国外继续深造。
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