基本信息
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职业迁徙
个人简介
林兆军,教授,博士生导师。现兼任中国电子学会半导体与集成技术分会委员、山东省电子学会电子元件与材料专业委员会主任委员,主要从事GaN器件及功能模块、低维材料与器件和光电子器件研究。到山东大学以来主持多项国家自然科学基金项目、省部级项目、军工项目和横向项目。提出并建立了GaN电子器件极化库仑场散射理论,这一理论系统论述了GaN电子器件与极化效应相关的载流子散射机制,完善了GaN电子器件的输运理论,建立了融入极化库仑场散射效应的GaN高电子迁移率晶体管速度-电场关系模型,完善了GaN高电子迁移率晶体管电流-电压方程。极化库仑场散射理论说明了GaN高电子迁移率晶体管长期以来存在的器件电子速度峰值远小于GaN材料电子速度峰值这一重要问题,表明GaN高电子迁移率晶体管沟道电导调制不仅具有沟道电子密度调制还具有沟道电子速度调制,这为GaN高电子迁移率晶体管电学性能优化提供重要理论基础;基于极化库仑场散射理论,已建立优化GaN 功率放大器线性度材料和器件结构优化设计规则,并有望为GaN功率放大器和GaN开关电源整体性能提升提供材料和器件结构优化设计规则。作为第一作者和通讯作者发表SCI收录论文60多篇,其中近30篇发表在Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Trans. Electron Devices.、Scientific Reports国际重要核心专业期刊,授权2项发明专利。
研究兴趣
论文共 116 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
SOLID-STATE ELECTRONICS (2024)
AIP Advancesno. 1 (2024): 015054-015054-5
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERSno. 2 (2024): 160-163
MODERN PHYSICS LETTERS Bno. 12 (2024)
Solid-State Electronics (2024): 108833
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 10 (2023): 5479-5483
JOURNAL OF APPLIED PHYSICSno. 16 (2023)
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作者统计
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合作机构
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